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碳化硅抗渣性能和熱震穩(wěn)定性

添加時間:2020年11月24日  瀏覽次數(shù):

SiC所具有的高導熱性、高強度、熱膨脹低、與爐渣難以反映等優(yōu)良特性被作為爐渣反應和高溫剝落嚴重部位耐火材料的主要原料使用。

隨著SiC加入的加入量的增加其抗渣性能有一定的提高。SiC在高溫下的氧化是SiC質耐火材料損毀室溫主要原因,根據(jù)熱力學計算,SiC在高溫下氧化氣氛下的不穩(wěn)定是十分顯著的,然后它卻可以在1600℃的氧化氣氛下長期使用,著很大程度上是由于形成SiO2保護膜的結果。

碳化硅磚

一般認為,當SiC在空氣中加熱到800℃時即開始氧化,1000~1300℃時氧化速度緩慢,生成SiO2玻璃相保護膜。1300℃以后保護膜中開始結晶處方石英,相變引起保護膜開裂,從而氧化速度有所增加。在1500~1600℃時,因SiO2保護膜達到一定的厚度,進一步的氧化作用變得很困難。但當溫度達到1627℃以上時,由于發(fā)生2SiO2+SiC→3SiO2↑+CO↑反應以及SiO2的蒸發(fā),使SiO2保護膜受到破壞,因而SiC的氧化作用明顯加強,所以,1627℃時SiO2保護膜能夠存在的上限溫度,也是SiC材料在氧化氣氛中的最高工作溫度,與酸、堿及氧化物作用時,由于SiO2保護膜的作用,SiC的抗酸能力很強,抗堿能力很差。

SiC加入量對其抗熱震穩(wěn)定性的影響?梢钥闯鲭S著SiC加入量的提高其熱震穩(wěn)定性有一定的提高。這是由于SiC有很高的導熱系數(shù),SiC所具有的不高的熱膨脹系數(shù)和高的導熱系數(shù)是SiC質耐火材料熱震穩(wěn)定性優(yōu)異的原因。

關鍵詞:SiC   
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